Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFBC30AL
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I2PAK
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IRFBC30

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBC30AL

Documenti e supporti

HTML Datasheet
1(IRFBC30AS,AL, SiHFBC30AS,AL)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRFBC30ALPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.80598
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : STI4N62K3
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.49218
Tipo sostitutivo. : Similar