Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SUV85N10-10-E3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SUV85

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUV85N10-10-E3

Documenti e supporti

Datasheets
()
HTML Datasheet
1(SUV85N10-10)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SUP85N10-10-E3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 384
Prezzo unitario. : $6.37000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : SUP85N10-10-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 504
Prezzo unitario. : $6.37000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : IPI086N10N3GXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 470
Prezzo unitario. : $1.75000
Tipo sostitutivo. : Similar