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GermanyTK14C65W,S1Q
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TK14C65W,S1Q
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
TK14C65
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q-ND
TK14C65WS1Q
TK14C65W,S1Q(S2
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W,S1Q
Documenti e supporti
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : STI20N65M5
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $2.90000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 1,000
Prezzo unitario. : $2.90000
Tipo sostitutivo. : Similar