English
Spain
Rusia
China
GermanyIPS65R400CEAKMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPS65R400CEAKMA1
DESCRIZIONE
CONSUMER
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 118W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.2435A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
118W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPS65R400
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFIPS65R400CEAKMA1
SP001422890
2156-IPS65R400CEAKMA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS65R400CEAKMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPD65R400CE, IPS65R400CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IPD65R400CE, IPS65R400CE)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TSM70N380CH C5G
Produttore. : Taiwan Semiconductor Corporation
Quantità disponibile. : 695
Prezzo unitario. : $3.29000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 695
Prezzo unitario. : $3.29000
Tipo sostitutivo. : Similar