Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MPSH10
DESCRIZIONE
RF TRANS NPN 25V 650MHZ
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole
PRODUTTORE
NTE Electronics, Inc
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1

Specifiche tecniche

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Frequency - Transition
650MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
-
Power - Max
350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/NTE Electronics, Inc MPSH10

Documenti e supporti

Datasheets
1(MPSH10 Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(MPSH10 Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 250
Prezzo unitario: $0.141
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 50
QUANTITÀ: 200
Prezzo unitario: $0.144
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 50
QUANTITÀ: 150
Prezzo unitario: $0.153
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 50
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $0.161
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 50
QUANTITÀ: 50
Prezzo unitario: $0.17
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 50

Sostituti

-