Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IMZA65R027M1HXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 59A (Tc) 189W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
20 Weeks
MODELLO EDACAD
IMZA65R027M1HXKSA1 Models
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 38.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 11mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2131 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
189W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4-3
Package / Case
TO-247-4
Base Product Number
IMZA65

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

448-IMZA65R027M1HXKSA1
SP005398432
IMZA65R027M1H

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IMZA65R027M1HXKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IMZA65R027M1H)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
EDA Models
1(IMZA65R027M1HXKSA1 Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 510
Prezzo unitario: $14.43031
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $15.92308
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $16.91833
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $20.9
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-