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GermanyIXTH12N100Q
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTH12N100Q
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1000 V 12A (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
Q Class
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXTH12
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTH12N100Q
Documenti e supporti
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-