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GermanyMJD6039T4
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MJD6039T4
DESCRIZIONE
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 1.75 W Surface Mount DPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
500 @ 2A, 4V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
-
Supplier Device Package
DPAK
Base Product Number
MJD60
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi MJD6039T4
Documenti e supporti
Datasheets
1(MJD6039)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 06/Oct/2006)
HTML Datasheet
1(MJD6039)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : MJD6039T4G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.94000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.94000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : 2SD1223(TE16L1,NQ)
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 1,345
Prezzo unitario. : $0.88000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 1,345
Prezzo unitario. : $0.88000
Tipo sostitutivo. : Similar