Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
ISL9N312AD3
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 50A (Tc) 75W (Ta) Through Hole I-PAK
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,025

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-ISL9N312AD3
FAIFSCISL9N312AD3

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3

Documenti e supporti

Datasheets
1(ISL9N312AD3STNL Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1025
Prezzo unitario: $0.29
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1025

Sostituti

-