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GermanyBUZ31 E3046
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUZ31 E3046
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
95W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
BUZ31E3046X
SP000011344
BUZ31 E3046-ND
BUZ31E3046XK
BUZ31E3046
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BUZ31 E3046
Documenti e supporti
Datasheets
1(BUZ31)
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HTML Datasheet
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Quantità Prezzo
-
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