Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFB61N15DPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 150 V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3470 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta), 330W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP001560242
*IRFB61N15DPBF

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFB61N15DPBF

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRFB61N15DPbF)
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1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRFB61N15DPbF)
Simulation Models
1(IRFB61N15DPBF Saber Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRFB4321PBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 2,789
Prezzo unitario. : $3.20000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : PSMN030-150P,127
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.46462
Tipo sostitutivo. : Similar