Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQP9N08L
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,025

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-FQP9N08L-FS
FAIFSCFQP9N08L

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQP9N08L

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQP9N08L)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1025
Prezzo unitario: $0.29
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1025

Sostituti

-