Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RN2909(T5L,F,T)
DESCRIZIONE
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000

Specifiche tecniche

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
200MHz
Power - Max
200mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
RN2909

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Altri nomi

RN2909(T5LFT)CT
RN2909(T5LFT)TR
RN2909(T5LFT)DKR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN2909(T5L,F,T)

Documenti e supporti

-

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : DDA144EUQ-7-F
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.07290
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : NSVMUN5137DW1T1G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.04121
Tipo sostitutivo. : Similar