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GermanyIXFA8N65X2
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFA8N65X2
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
47 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IXFA8N65
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFA8N65X2
Documenti e supporti
Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML Datasheet
1(IXF(Y,A,P)8N65X2)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 300
Prezzo unitario: $2.2496
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300
Sostituti
Parte n. : R6012FNJTL
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 938
Prezzo unitario. : $3.16000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 938
Prezzo unitario. : $3.16000
Tipo sostitutivo. : Similar