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GermanyBUK6607-55C,118
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUK6607-55C,118
DESCRIZIONE
NOW NEXPERIA BUK6607-55C - 100A,
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 100A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount D2PAK
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
400
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
158W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-BUK6607-55C,118
NEXNXPBUK6607-55C,118
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK6607-55C,118
Documenti e supporti
Datasheets
1(BUK6607-55C)
HTML Datasheet
1(BUK6607-55C)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 400
Prezzo unitario: $0.85
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 400
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 400
Sostituti
-