Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHB12N50E-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
21 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB12

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB12N50E-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SIHB12N50E)
PCN Assembly/Origin
1(Additional Assembly Site 21/Oct/2016)
HTML Datasheet
1(SIHB12N50E)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 10000
Prezzo unitario: $0.9625
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 5000
Prezzo unitario: $0.99546
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1000
Prezzo unitario: $1.08878
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $1.5165
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $1.905
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $2.29
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-