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GermanyTPH3208LD
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TPH3208LD
DESCRIZIONE
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
PRODUTTORE
Transphorm
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Transphorm
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-PQFN (8x8)
Package / Case
4-PowerDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Transphorm TPH3208LD
Documenti e supporti
Datasheets
1(TPH3208L Series)
Product Training Modules
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
Video File
()
PCN Obsolescence/ EOL
()
HTML Datasheet
1(TPH3208L Series)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TPH3208LDG
Produttore. : Transphorm
Quantità disponibile. : 20
Prezzo unitario. : $10.91000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 20
Prezzo unitario. : $10.91000
Tipo sostitutivo. : Direct