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GermanyBUZ31HXKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUZ31HXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
95W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000682992
BUZ31H
2156-BUZ31HXKSA1-IT
INFINFBUZ31HXKSA1
BUZ31 H-ND
BUZ31 H
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BUZ31HXKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BUZ 31 H)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BUZ 31 H)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 4,746
Prezzo unitario. : $1.48000
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