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Germany1N8030-GA
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
1N8030-GA
DESCRIZIONE
DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Diode 650 V 750mA Through Hole TO-257
PRODUTTORE
GeneSiC Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
750mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.39 V @ 750 mA
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
76pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-257-3
Supplier Device Package
TO-257
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 250°C
Base Product Number
1N8030
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Altri nomi
1N8030GA
1242-1117
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA
Documenti e supporti
Datasheets
1(1N8030-GA)
Featured Product
1(Silicon Carbide Schottky Diode)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-