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GermanyIPS60R650CEAKMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPS60R650CEAKMA1
DESCRIZIONE
CONSUMER
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 9.9A (Tj) 82W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.9A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
82W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPS60R650
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001471280
2156-IPS60R650CEAKMA1
INFINFIPS60R650CEAKMA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS60R650CEAKMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPS60R650CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IPS60R650CE)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPS60R600PFD7SAKMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 21
Prezzo unitario. : $0.90000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 21
Prezzo unitario. : $0.90000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 5
Prezzo unitario. : $1.65000
Tipo sostitutivo. : Similar
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Prezzo unitario. : $1.65000
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