Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDD6N25TF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FDD6N25TF Models
PACCHETTO STANDARD
2,000

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
UniFET™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
-
Base Product Number
FDD6

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FDD6N25TFDKR
FDD6N25TFTR
FDD6N25TFCT

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDD6N25TF

Documenti e supporti

Datasheets
1(FDD6N25, FDU6N25)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FDD6N25, FDU6N25)
EDA Models
1(FDD6N25TF Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRF624SPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 1,826
Prezzo unitario. : $2.03000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : IRFR220NTRLPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 19,845
Prezzo unitario. : $0.85000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRFR220NTRPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 16,685
Prezzo unitario. : $0.94000
Tipo sostitutivo. : Similar