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GermanyHN3C10FUTE85LF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HN3C10FUTE85LF
DESCRIZIONE
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gain
11.5dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
HN3C10
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $0.3354
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $0.482
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $0.57
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
Parte n. : BFS483H6327XTSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 48,521
Prezzo unitario. : $0.73000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 48,521
Prezzo unitario. : $0.73000
Tipo sostitutivo. : Similar