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GermanyRFA100N05E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RFA100N05E
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 50 V 100A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-218-5
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
54
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-218-5
Package / Case
TO-218-5
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-RFA100N05E
HARHARRFA100N05E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFA100N05E
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 54
Prezzo unitario: $5.66
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 54
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 54
Sostituti
-