Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI4010DY-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 31.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3595 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4010

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SI4010DY-T1-GE3CT
SI4010DY-T1-GE3TR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI4010DY-T1-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SI4010DY)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023)
HTML Datasheet
1(SI4010DY)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SI4166DY-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 5,335
Prezzo unitario. : $1.40000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRF7831TRPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 17,953
Prezzo unitario. : $1.23000
Tipo sostitutivo. : Similar