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Germany2SA1709T-EPN-AN
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SA1709T-EPN-AN
DESCRIZIONE
BIP PNP 2A 100V
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 2 A 120MHz 1 W Through Hole 3-NMP
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,219
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
120MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
SC-71
Supplier Device Package
3-NMP
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2156-2SA1709T-EPN-AN
ONSONS2SA1709T-EPN-AN
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SA1709T-EPN-AN
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 2219
Prezzo unitario: $0.14
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2219
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 2219
Sostituti
-