Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AUIRFSL6535
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3-901
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-901
PRODUTTORE
International Rectifier
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
193

Specifiche tecniche

Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
210W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-901
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-AUIRFSL6535-IR
INFIRFAUIRFSL6535

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier AUIRFSL6535

Documenti e supporti

Datasheets
1(AUIRFSL6535 Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 193
Prezzo unitario: $1.56
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 193

Sostituti

-