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GermanyJAN2N7334
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
JAN2N7334
DESCRIZIONE
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
PRODUTTORE
Microsemi Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
4 N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.4W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/597
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
MO-036AB
Base Product Number
2N733
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Microsemi Corporation JAN2N7334
Documenti e supporti
Datasheets
1(2N7334)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(2N7334)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-