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GermanyTK10V60W,LVQ
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TK10V60W,LVQ
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
52 Weeks
MODELLO EDACAD
TK10V60W,LVQ Models
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
88.3W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-DFN-EP (8x8)
Package / Case
4-VSFN Exposed Pad
Base Product Number
TK10V60
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
TK10V60WLVQTR
TK10V60WLVQCT
TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQDKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ
Documenti e supporti
Datasheets
1(TK10V60W)
Featured Product
1(Server Solutions)
EDA Models
1(TK10V60W,LVQ Models)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 5000
Prezzo unitario: $1.5125
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2500
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2500
QUANTITÀ: 2500
Prezzo unitario: $1.57651
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2500
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 2500
Sostituti
-