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GermanySTW27NM60ND
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STW27NM60ND
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
STW27NM60ND Models
PACCHETTO STANDARD
30
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
STMicroelectronics
Series
FDmesh™ II
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
STW27N
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
497-10086-5
-497-10086-5
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STW27NM60ND
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Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Produttore. : Infineon Technologies
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Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
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