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GermanyNP89N055NUK-S18-AY
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NP89N055NUK-S18-AY
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 90A TO262
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
NP89N055NUK-S18-AY Models
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta), 147W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Base Product Number
NP89N055
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NP89N055NUK-S18-AY
Documenti e supporti
Datasheets
1(NP89N055MUK, NP89N055NUK)
PCN Packaging
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA Models
1(NP89N055NUK-S18-AY Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPI040N06N3GXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 500
Prezzo unitario. : $2.17000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 500
Prezzo unitario. : $2.17000
Tipo sostitutivo. : Similar