English
Spain
Rusia
China
GermanyIXFT6N100F
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFT6N100F
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerRF™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-268
Package / Case
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Product Number
IXFT6
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFT6N100F
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFH6N100F, IXFT6N100F)
HTML Datasheet
1(IXFH6N100F, IXFT6N100F)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXTT6N120
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 252
Prezzo unitario. : $12.73000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 252
Prezzo unitario. : $12.73000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : APT7M120S
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $6.77000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $6.77000
Tipo sostitutivo. : Similar