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Germany2SD2096T114E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SD2096T114E
DESCRIZIONE
TRANS NPN 60V 3A HRT
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 8MHz 1.8 W Through Hole HRT
PRODUTTORE
Rohm Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Power - Max
1.8 W
Frequency - Transition
8MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
HRT
Supplier Device Package
HRT
Base Product Number
2SD2096
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2SD2096T114ECT
2SD2096T114EDKR
2SD2096T114EDKRINACTIVE
2SD2096T114ETR
2SD2096T114EDKR-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Rohm Semiconductor 2SD2096T114E
Documenti e supporti
Datasheets
1(2SD2096)
HTML Datasheet
1(2SD2096)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : KSD1408YTU
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 6,004
Prezzo unitario. : $1.32000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 6,004
Prezzo unitario. : $1.32000
Tipo sostitutivo. : Direct