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GermanyIPA80R1K0CEXKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPA80R1K0CEXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
32W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPA80R
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IFEINFIPA80R1K0CEXKSA1
SP001271058
2156-IPA80R1K0CEXKSA1-IT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPA80R1K0CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPA80R1K0CE)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPA80R1K0CEXKSA2
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.73000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.73000
Tipo sostitutivo. : Direct