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GermanyIXTP1R4N60P
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXTP1R4N60P
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
PolarHV™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IXTP1
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTP1R4N60P
Documenti e supporti
Datasheets
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices OBS 02/Mar/2018)
HTML Datasheet
1(IXT(P,U,Y)1R4N60P)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : AOT1N60
Produttore. : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Quantità disponibile. : 1,382
Prezzo unitario. : $0.71000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 1,382
Prezzo unitario. : $0.71000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRFIBC20GPBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 1,053
Prezzo unitario. : $2.62000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 1,053
Prezzo unitario. : $2.62000
Tipo sostitutivo. : Similar