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GermanyNTD12N10-1G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTD12N10-1G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
NTD12
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
=NTD12N10
2156-NTD12N10-1G-ON
ONSONSNTD12N10-1G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD12N10-1G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NTD12N10)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 08/Apr/2011)
HTML Datasheet
1(NTD12N10)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : PHT6NQ10T,135
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 4,949
Prezzo unitario. : $0.83000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 4,949
Prezzo unitario. : $0.83000
Tipo sostitutivo. : Similar