Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2N5551
DESCRIZIONE
BJT TO-92 160V 600MA NPN 0.625W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
PRODUTTORE
Diotec Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
2N5551 Models
PACCHETTO STANDARD
4,000

Specifiche tecniche

Mfr
Diotec Semiconductor
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Power - Max
625 mW
Frequency - Transition
300MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0000

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Diotec Semiconductor 2N5551

Documenti e supporti

Datasheets
1(2N5551 Datasheet)
CAD Models
1(2N5551 Models)
Simulation Models
1(2N5551 Spice Model)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 4000
Prezzo unitario: $0.03102
Imballaggio: Tape & Reel (TR)
Moltiplicatore minimo: 4000

Sostituti

-