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GermanyBCR 114F E6327
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BCR 114F E6327
DESCRIZIONE
TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 160 MHz 250 mW Surface Mount PG-TSFP-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
160 MHz
Power - Max
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-723
Supplier Device Package
PG-TSFP-3
Base Product Number
BCR 114
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Altri nomi
BCR 114F E6327-ND
BCR114FE6327XT
BCR114FE6327
SP000014848
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Infineon Technologies BCR 114F E6327
Documenti e supporti
Datasheets
1(BCR114)
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HTML Datasheet
1(BCR114)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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