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GermanyBSC882N03LS G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSC882N03LS G
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 34 V Surface Mount PG-TDSON-8-6
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
702
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™3 M
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
34 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Package / Case
8-PowerTDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-BSC882N03LS G
IFEINFBSC882N03LS G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC882N03LS G
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSC882N03LSGATMA1 Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 702
Prezzo unitario: $0.43
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 702
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 702
Sostituti
-