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GermanySIJ420DP-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIJ420DP-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3630 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIJ420
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SIJ420DP-T1-GE3CT
SIJ420DP-T1-GE3TR
SIJ420DPT1GE3
SIJ420DP-T1-GE3DKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIJ420DP-T1-GE3
Documenti e supporti
PCN Assembly/Origin
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML Datasheet
1(SIJ420DP)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : HAT2160H-EL-E
Produttore. : Renesas Electronics Corporation
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar