Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SCTW90N65G2V
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole HiP247™
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
52 Weeks
MODELLO EDACAD
SCTW90N65G2V Models
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
390W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
HiP247™
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SCTW90

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Documenti e supporti

Datasheets
1(SCTW90N65G2V)
PCN Packaging
1(Standard outer labelling 15/Nov/2023)
HTML Datasheet
1(SCTW90N65G2V)
EDA Models
1(SCTW90N65G2V Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $27.13058
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $28.93933
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $34.91
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : MSC015SMA070B
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 450
Prezzo unitario. : $35.76000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : SCT3022ALGC11
Produttore. : Rohm Semiconductor
Quantità disponibile. : 1,495
Prezzo unitario. : $50.98000
Tipo sostitutivo. : Similar