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GermanySI4967DY-T1-E3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI4967DY-T1-E3
DESCRIZIONE
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 12V 2W Surface Mount 8-SOIC
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
SI4967
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SI4967DY-T1-E3
Documenti e supporti
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML Datasheet
1(SI4967DY)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI9933CDY-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 27,578
Prezzo unitario. : $0.61000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 27,578
Prezzo unitario. : $0.61000
Tipo sostitutivo. : Similar