Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AIMW120R060M1HXKSA1
DESCRIZIONE
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
39 Weeks
MODELLO EDACAD
AIMW120R060M1HXKSA1 Models
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 5.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Package / Case
TO-247-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

448-AIMW120R060M1HXKSA1
SP005417583

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(AIMW120R060M1H)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
EDA Models
1(AIMW120R060M1HXKSA1 Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 510
Prezzo unitario: $18.40753
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $21.57133
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $23.00933
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $27.76
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : MSC040SMA120B4
Produttore. : Microchip Technology
Quantità disponibile. : 87
Prezzo unitario. : $24.95000
Tipo sostitutivo. : Similar