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GermanySTB21NM60N-1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STB21NM60N-1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 600 V 17A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
STB21N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STB21NM60N-1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(STx21NM60N(-1))
HTML Datasheet
1(STx21NM60N(-1))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : R6018ANJTL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : SPB17N80C3ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,992
Precio unitario : $6.46000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,992
Precio unitario : $6.46000
Tipo de reemplazo : Similar