Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPAN60R600P7SXKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Descripción detallada
N-Channel 650 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IPAN60R600P7SXKSA1 Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
363 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
21W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPAN60

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-IPAN60R600P7SXKSA1
448-IPAN60R600P7SXKSA1
SP001866160

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPAN60R600P7SXKSA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPAN60R600P7S)
HTML Datasheet
1(IPAN60R600P7S)
EDA Models
1(IPAN60R600P7SXKSA1 Models)

Cantidad y precio

Cantidad: 100
Precio unitario: $0.6327
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $0.813
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $0.99
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

Modelo de producto : IPA70R360P7SXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 544
Precio unitario : $1.29000
Tipo de reemplazo : Similar