Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SI7888DP-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Descripción detallada
N-Channel 30 V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SI7888

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI7888DP-T1-GE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SI7888DP)
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : SIR172ADP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 4,939
Precio unitario : $0.47000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : CSD17327Q5A
Fabricante : Texas Instruments
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.97000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : RS1E130GNTB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 1,178
Precio unitario : $0.61000
Tipo de reemplazo : Similar
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