English
China
Rusia
Italy
Germany2SK1058-E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SK1058-E
Explicación
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Descripción detallada
N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
2SK1058-E Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
160 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
2SK1058
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation 2SK1058-E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SK1056/7/8)
PCN Packaging
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA Models
1(2SK1058-E Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDA18N50
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 77
Precio unitario : $5.61000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 77
Precio unitario : $5.61000
Tipo de reemplazo : Similar