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GermanyTK10V60W,LVQ
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TK10V60W,LVQ
Explicación
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Descripción detallada
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
52 Weeks
Modelo edacad
TK10V60W,LVQ Models
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
88.3W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-DFN-EP (8x8)
Package / Case
4-VSFN Exposed Pad
Base Product Number
TK10V60
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
TK10V60WLVQTR
TK10V60WLVQCT
TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(TK10V60W)
Featured Product
1(Server Solutions)
EDA Models
1(TK10V60W,LVQ Models)
Cantidad y precio
Cantidad: 5000
Precio unitario: $1.5125
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Cantidad: 2500
Precio unitario: $1.57651
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2500
Alternativas
-