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GermanyDTD113E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
DTD113E
Explicación
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
11,539
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Power - Max
350 mW
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/onsemi DTD113E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 11539
Precio unitario: $0.03
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 11539
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 11539
Alternativas
-