Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQB9N50CTM
Explicación
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 500 V 9A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
800
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1030 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
135W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FQB9N50

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

FQB9N50CTMFSDKR
FQB9N50CTM-ND
FQB9N50CTMFSTR
FQB9N50CTMFSCT

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQB9N50CTM

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQB9N50C)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly Chgs 21/Dec/2020)
PCN Packaging
()

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRF840STRLPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 1,469
Precio unitario : $2.74000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STB11NK50ZT4
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 872
Precio unitario : $3.10000
Tipo de reemplazo : Similar