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GermanyIPU60R1K4C6
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPU60R1K4C6
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO-251-3-341
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
989
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
28.4W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO-251-3-341
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IPU60R1K4C6
IFEINFIPU60R1K4C6
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPU60R1K4C6
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-